Индустрия - Производство

Во время Международной встречи по электронным устройствам (International Electron Device Meeting, IEDM) корпорации Intel и Micron Technology подробно рассказали о новейшей разработке 25-нм технологии производства NAND-памяти. Для участников этого мероприятия был припасен сюрприз: оказалось, это первая технология с воздушным зазором в коммерческих кристаллах.

«Это первое коммерческое применение технологии воздушного зазора», – заявил Дик Джеймс (Dick James), аналитик из компании Chipworks. Многие компании, включая IBM, только намеревались разработать данный метод.

В докладе Intel и Micron сообщается о 64-Гбайт MLC-устройстве (Multi-Level Cell –многоуровневая ячейка). Половина ячейки памяти площадью 0,0028 мкм² отведена числовой 24,5-нм шине, другая половина – 28,5-нм разрядной шине.

Ячейка формируется методом уменьшения шага с использованием 193-нм иммерсионной литографии, которая позволяет оптимизировать неровности краев и вариации критических размеров.

На 25 нм 5-% отклонение от критического размера составляет примерно 3 кристаллических решетки кремния. Глубину профиля щели нельзя намного изменить из-за ограничивающего соотношения 7:1.

Любая структурная диспропорция может привести к смещению канала до 10 нм при изменении критического размера всего на 3 нм. Управление структурными изменениями необходимо для того, чтобы получить требуемое распределение электрического заряда в ячейках NAND-массива. Значительное изменение шага числовой шины приводит к увеличению емкости между слоями числовых шин, а также взаимного влияния ячеек.

Чтобы преодолеть эти затруднения, между слоями числовых и разрядных шин были созданы воздушные промежутки.

--

Элтайм.ру, по материалам russsianelectronics