OKI Semiconductor, предприятие группыr Rohm, представила свою технологию памяти под названием Ferroelectric RAM (FeRAM). Серия дополняет прежнее предложение памяти группы Rohm типа EEPROM, DRAM и P2ROM. FeRAM является энергонезависимой памятью, в которой в качестве конденсатора для запоминания данных используется ферроэлектрический слой.

По сравнению с другими типами энергонезависимой памяти, такими как EEPROM или Flash-память, FeRAM имеет то преимущество, что их потребляемая мощность значительно ниже (в 400 или более раз), она имеет более высокую, на уровне DRAM скорость записи и повышенное число циклов записи (1012).

В сочетании с тем, что обеспечивается хранение в течение 10 лет, эти свойства обеспечивают возможность использования FeRAM-памяти во многих приложениях, в которых требуется надежное хранение информации, таких как например отчетная информация, конфигурационная информация и информация о состоянии в потребительских, промышленных и автомобильных мультимедийных приложениях.

Она имеет 8-битную конфигурацию, напряжение питания 3,3В и рассчитана на работу в промышленном температурном диапазоне ( 40 - +85°C). Для оценки новых элементов имеются в наличии образцы различных вариантов с последовательным интерфейсом (I2C или SPI) или с параллельным интерфейсом.

Начало массового производства запланировано на третий квартал 2011 года.

Варианты, имеющиеся в наличии:

• 32 кбит с интерфейсом SPI в корпусе SOP8
• 64 кбит с интерфейсом I2C в корпусе SOP8
• 256 кбит с интерфейсом SPI в корпусе SOP8
• 256 кбит с параллельным интерфейсом T в корпусе SOP28.