Наука и технологии - Нанотехнологии

Оксид кремния давно и успешно используется в ИС в качестве диэлектрика. Учёные из университета Райса обнаружили, что его можно также использовать в качестве основы для нового типа памяти.

В прошлом году, экспериментируя с полосками графита шириной 10 нм, исследователи убедились, что их можно разрывать и повторно соединять, воздействуя электрическим током. Поскольку полоски принимают два хорошо различимых состояния, этот эффект можно использовать для создания элементов памяти.

В результате нового исследования учёные пришли к выводу, что вовсе необязательно использовать графит. Заключив слой оксида кремния между слоями поликристаллического кремния, которые играли роль электродов, участники проекта смогли добиться того же эффекта.

Они обнаружили, что нанопроводники из оксида кремния шириной 5 нм могут соединяться и разъединяться, подобно микроскопическим переключателям, под действием приложенного к ним напряжения. Учитывая, что производители полупроводниковых микросхем памяти используют технологические нормы, в несколько раз большего размера, и на рубеже 20 нм могут столкнуться с непреодолимыми технологическими проблемами, новая память может стать потенциальным преемником флэш-памяти, обеспечивающим более высокую плотность хранения данных. От флэш-памяти новая разработка выгодно отличается простотой — элементарная ячейка имеет лишь два контакта, а внутри неё не хранится заряд. Кроме того, ячейки из оксида кремния можно строить в несколько «этажей», что создает значительный потенциал дальнейшего увеличения плотности хранения. Наконец, для производства памяти нового типа подходит уже хорошо освоенный процесс производства полупроводников.